Produktdetails:
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Datentransferrate: | 10Gb/s | Mittelwellenlänge: | TX1550nm/RX1490nm |
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Verbindungsstück-Art: | LC-/SCbehälter | Übermittler-Art: | EML |
Empfänger-Art: | Pin | Optische Spitzenleistung: | >2.8mW |
Empfindlichkeit: | <-25> | Schlüsselwörter: | 10Gbps BOSA T1550nm R1490nm, 10G BOSA EMLPIN |
Hervorheben: | Optische Unterbaugruppe RX1490nm,Optische Unterbaugruppe TX1550nm,VERDRAHTUNGSHANDBUCH 10G |
10Gbps LC Sc-Verdrahtungshandbuch BOSA TX1550nm EML/RX1490nm bidirektionale optische Unterbaugruppe PIN
Beschreibung
Das BOSA-T1550EML-R1490PIN-10G-LC-REC Des GIGAOPTOS ist für Datenaustausch bestimmt und stützt 10Gb/s Datenrate. Die Senderseite benutzt einen 1550nm EML Laser. Die Empfängerseite verwendet einen PIN 1490nm mit TIA.
Absolute Maximalleistungen (Tc=25℃)
Parameter | Symbol | Min. | Maximum. | Einheit |
Sperrspannung (LD) | VRL | --- | 2 | V |
Vorderesgegenwärtiges (LD) | WENN ICH | --- | 150 | MA |
Vorderesgegenwärtiges (MPD) | IFD | --- | 10 | MA |
Funktionierende Gehäusetemperatur | SPITZE | 0 | 75 | ℃ |
Lagertemperatur | TSTG | -40 | +85 | ℃ |
Führungs-Löttemperatur (maximale 10sec) | TS | --- | 260 | ℃ |
NTC-Strom | INTC | 5 | V | |
NTC-Spannung | VNTC | 2 | MA | |
TECHNISCHER Strom | ITEC | -0,96 | 0,96 | |
TECHNISCHE Spannung | VTEC | -1,29 | 1,29 | V |
Widerstand (Standard-10KΩ@25℃) | Rth | 9,5 | 10,5 | KΩ |
B-Konstante von Rth | B | 3800 | 4000 | K |
Optische u. elektrische Eigenschaften
Parameter | Symbol | Min. | Art. | Maximum. | Einheit | Testbedingung |
Übermittler (TC=25±3℃) | ||||||
Schwellen-Strom | Ith | --- | --- | 20 | MA | CW |
Laser stellte Temperatur ein | Tld | 40 | 45 | 50 | ℃ | |
Optische Spitzenleistung | PF | 2,8 | --- | --- | mW |
CW, Iop= 60 MA, Tld= 45℃, VEA=0V |
Funktionierenspannung | Vop | --- | 1,2 | 1,6 | V | CW, Iop=Ith+20mA |
Mitte-Wellenlänge | λc | 1470 | 1490 | 1510 | Nanometer |
Iop= 60 MA, Tld= 45℃, VEA=0V |
Monitor-Strom | Imon | 50 | --- | 1500 | μA | Iop= 60 MA, Tld= 45℃ |
SMSR | --- | 35 | --- | --- | DB |
Iop= 60 MA, Tld= 45℃, VEA=0V |
Gleichlauffehler (CW) | TE | -1,0 | --- | 1,0 | DB | 0℃/+45℃, +45℃/+75℃ |
Empfänger (TC=25±3℃) | ||||||
Versorgungs-Spannung | VCC | 2,97 | 3,3 | 3,6 | V | |
Durchbruchsspannung | VBR | 27 | 33 | 45 | V | Id=10μA, Vcc weg |
Versorgung gegenwärtig | Icc | --- | 27 | 43 | MA | DC |
Optische Wellenlänge | λ | 1470 | 1490 | 1510 | Nanometer | |
Empfindlichkeit | Senator | --- | --- | -25,5 | dBm |
λ=1490nm, PRBS=2^31-1, BER=10-12, ER=10dB, @10Gbps |
Sättigungs-Energie | Psat | -6 | --- | --- | dBm | |
PD Responsivity | R | 0,65 | --- | --- | A/W | λ=1490nm, CW |
Eigenschaften
Anwendung
Standard
Entwurfszeichnung (Einheit: Millimeter)
Ansprechpartner: Ophelia Feng
Telefon: +86 15882203619